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本發明涉及新型太陽能電池組件，屬于封裝的半導體器件技術領域。其解決的是現有太陽能電池存在的因串聯方式導致的功率損耗較高的問題。本發明包括相互串聯的電池串組，電池串組包含相互并聯的子串組，每個子串組由等面積切割的電池片通過互聯條串聯構成；...

本實用新型涉及新型太陽能電池組件，屬于封裝的半導體器件技術領域。其解決的是現有太陽能電池存在的因串聯方式導致的功率損耗較高的問題。本實用新型包括相互串聯的電池串組，電池串組包含相互并聯的子串組，每個子串組由等面積切割的電池片通過互聯條串...

本實用新型涉及太陽能技術領域，為了解決水汽透過問題，提供一種成本低廉的、效果好的、具有封邊材料或封邊工藝的太陽能雙玻組件。本實用新型包括雙層玻璃，所述雙層玻璃為非整齊對應的同規格尺寸或整齊對應的不同規格尺寸，在雙層玻璃的外邊緣處密封有密...

本實用新型提供一種雙玻太陽能組件，屬于太陽能技術領域。為了解決現有雙玻太陽能組件EVA材料層被水汽腐蝕老化的問題，本實用新型包括上、下玻璃蓋板和電池片，還包括EVA封裝層、封邊層，電池片的上下兩側分別鋪設有EVA封裝層，在EVA封裝層的...

本實用新型提供一種能夠防止EVA老化，增加壽命的雙玻太陽能組件，屬于太陽能組件技術領域。本實用新型主要解決現有雙玻太陽能組件EVA老化、已有的防止EVA老化的結構復雜生產成本高的問題。采用的技術方案是包括上下玻璃蓋板、EVA封裝層、電池...

本發明屬于多晶硅鑄錠領域，特別涉及一種可實現低位錯密度的高效鑄錠半熔工藝。本發明包括裝料抽真空，加氬氣升壓，加熱使硅料熔化，晶體長晶，退火保溫及冷卻降溫，裝料階段，首先在石英坩堝內底部鋪上一層碎單晶或碎多晶；在熔化階段以0.5～1cm/...

本發明屬于多晶硅鑄錠領域，特別涉及一種電子束熔煉除氧與長晶技術耦合制備多晶硅的裝置及方法。其裝置包括爐體頂部通連安裝有電子槍，側部上端開有充氣閥，下端開有放氣閥，爐體內放置有石英坩堝，石英坩堝外壁由內向外依次環繞有石墨加熱器和石墨碳氈，...

本發明屬于冶金熔煉領域，特別涉及一種電子束熔煉多晶硅除氧與鑄錠耦合的方法及設備，該方法首先將爐體和電子槍抽真空，啟動熔煉用電子槍對多晶硅料進行電子束熔煉，熔煉初步去除雜質氧；在輻射用電子槍作用下保持液態進一步除氧，最后通過水冷傳輸帶引導...

本發明屬于多晶硅提純領域，具體涉及一種電子束熔煉高效去除多晶硅中雜質氧的方法及其裝置，打破了傳統的電子束熔煉模式，不在熔煉坩堝內進行電子束熔煉，而是借用導流槽進行電子束除氧熔煉，由于硅液能夠在導流區域內鋪散，比表面積增大，因此電子束熔煉...

本發明屬于用電子束熔煉的技術領域，特別涉及一種電子束低頻轟擊去除硅料中氧的方法，步驟包括裝料、抽真空、電子槍預熱、電子束轟擊硅料和冷卻后取料，電子束轟擊硅料直到硅料全部熔化后，再調節電子束頻率為5～10Hz，進行5～15min的電子束低...

本發明屬于多晶硅提純領域，具體涉及一種電子束連續熔煉去除多晶硅中氧雜質的方法及其裝置，本發明中，打破了傳統的除氧模式，而是采用電子束熔煉進行除氧，解決了多晶硅中雜質氧去除的難題。翻轉機構和裝載坩堝的加入，保證了電子書熔煉除氧的半連續化生...

本發明屬于用電子束熔煉的技術領域，特別涉及一種電子束熔煉去除多晶硅鑄錠底料中雜質氧的方法。步驟包括將多晶硅鑄錠底料破碎，清洗烘干后放入水冷銅坩堝中；調節真空泵組，將爐體真空度抽到5×10-2Pa以下，電子槍真空度抽到5×10-3Pa以下...

本發明涉及一種測試硅錠提純工藝出成率的方法，在提純后的硅錠上尋找電阻率躍變點，電阻率躍變點的高度除以硅錠總高度即為硅錠提純工藝的出成率。此方法采用硅材料測試儀或電阻率測試儀測試硅錠電阻率，通過電阻率躍變點對應的硅錠高度除以硅錠總高度即得...

本發明涉及一種高硼硅材料的制備方法，所述方法包括介質熔煉、配料、裝料、抽真空、加熱熔化、長晶、退火和冷卻過程。本發明可采用純度至少為2N的工業硅作為原料，進行高硼硅材料的制備，制備得到的高硼硅材料的純度可以達到5N。每噸純度為2N的工業...

本發明公開了一種可降低多晶硅電池片的低效片比例的鑄錠工藝，采用GT鑄錠爐進行加工，熔化階段TC2溫度維持在1350~1365°C之間。通過本發明的工藝得到的鑄錠底部籽晶的有效面積能夠達到95%以上，低效片的比例要小于0.5%，優于業內要...

本實用新型公開了一種多晶硅定向提純爐，屬于多晶硅的提純領域，用以解決多晶硅熔煉過程中的高溫揮發性雜質對多晶硅定向提純爐、真空泵組造成損害的問題。本實用新型包括爐體和真空抽氣裝置，所述真空抽氣裝置包括真空管路、安裝在真空管路上的比例閥和滑...

本發明屬于多晶硅介質熔煉領域，涉及一種多晶硅介質熔煉的造渣劑及其使用方法，由以下原料混合而成：SiO240%～80%、CaO10%～40%、Al2O31%-15%和NaF1%-5%。使用步驟如下：（1）將硅料加入到石墨坩堝內，加熱至全部...

本發明屬于多晶硅介質熔煉領域，涉及一種多晶硅介質熔煉的造渣劑及其使用方法，由以下原料混合而成：Na2SiO340%～60%、SiO220%～40%、CaO10%～20%和FeO1%-5%。使用步驟如下：（1）將硅料加入到石墨坩堝內，加熱...

本發明屬于冶金造渣技術領域，特別涉及一種造渣熔煉后取渣設備及其使用方法，在原有造渣設備的基礎之上增加了存渣器、石墨管和真空裝置，首先將硅料和渣料加熱至熔融態形成硅液和渣劑，停止加熱，將石墨管伸入硅液底部，之后對硅液充氣體；充氣結束后，將...

本實用新型涉及定向凝固提純領域，具體涉及一種雙護管真空熱電偶。包括熱電偶基座，熱電偶基座內包括熱電偶絲，熱電偶絲外部由內向外依次套接有剛玉護管和石英護管；熱電偶絲頂端與熱電偶標準接頭連接，底端焊接在一起；熱電偶標準接頭上端相對接位置安裝...