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本技術(shù)公開(kāi)了一種雙面鍍膜設(shè)備，包括依次連接設(shè)置的硅片轉(zhuǎn)運(yùn)機(jī)構(gòu)、取放片升降機(jī)構(gòu)、舟架轉(zhuǎn)運(yùn)機(jī)構(gòu)、凈化臺(tái)、爐體柜和氣源柜；所述硅片轉(zhuǎn)運(yùn)機(jī)構(gòu)用于將硅片裝載至花籃舟架中，所述取放片升降機(jī)構(gòu)和舟架轉(zhuǎn)運(yùn)機(jī)構(gòu)用于將裝載硅片的花籃舟架移動(dòng)至舟托中，所述花...

本發(fā)明公開(kāi)的一種在線(xiàn)清洗石英管的LPCVD設(shè)備及在線(xiàn)清洗方法，石英管中放置石英舟，石英管嵌套在加熱爐體內(nèi)側(cè)，石英管的兩端分別通過(guò)爐口門(mén)板和爐尾門(mén)板與爐門(mén)和爐尾法蘭連接；爐口門(mén)板和爐門(mén)上設(shè)有進(jìn)氣噴淋管，爐尾法蘭上設(shè)有與真空泵連接的抽氣管；...

本技術(shù)公開(kāi)了一種冷凝瓶，包括瓶體和冷卻管結(jié)構(gòu)，所述瓶體內(nèi)設(shè)有凝液板，所述凝液板上設(shè)有多個(gè)氣孔，所述瓶體底部設(shè)有進(jìn)氣口和排液管，頂部設(shè)有出氣口，所述冷卻管結(jié)構(gòu)環(huán)設(shè)于瓶體外側(cè)，且所述冷卻管結(jié)構(gòu)的輸出端與進(jìn)氣口連通。本技術(shù)的冷凝瓶可對(duì)反應(yīng)完成...

本技術(shù)公開(kāi)了一種適用于后硼擴(kuò)設(shè)備的內(nèi)循環(huán)式冷卻系統(tǒng)，包括：柜頂熱交換組件、爐體間熱交換組件和爐口熱交換組件；所述柜頂熱交換組件設(shè)置在爐體柜頂部，并從爐體柜側(cè)部延伸至爐體柜下部，以實(shí)現(xiàn)爐體柜頂部和內(nèi)側(cè)冷卻；所述爐體間熱交換組件沿著加熱爐體...

本發(fā)明公開(kāi)了一種順氣流插片方式的磷擴(kuò)散工藝，包括以下步驟：將硅片垂直插入到石英舟并載入到擴(kuò)散爐的爐管中，使硅片與爐管的徑向相垂直，在730℃～760℃下氧化，降溫至700℃～720℃，分段進(jìn)氣，對(duì)硅片進(jìn)行沉積，升溫至830℃～890℃進(jìn)...

本發(fā)明公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池的邊緣鈍化方法，包括以下步驟：將電池片沿中間切開(kāi)，得到半片電池；將半片電池堆疊在一起，使切割面對(duì)齊；將堆疊在一起的半片電池放入到反應(yīng)腔室中，使切割面上或者使電池的背面朝上，采用PECVD法在切割面上沉積鈍化層，...

本發(fā)明公開(kāi)了一種背接觸電池及其制備方法，該制備方法包括：對(duì)硅片進(jìn)行拋光；制備隧穿氧化硅層、本征多晶硅層、掩膜層；圖案化開(kāi)窗，形成N區(qū)圖案、P區(qū)圖案；清洗、制絨；沉積鈍化層、本征非晶硅層、P型摻雜非晶硅層或P型摻雜微晶硅層、減反層、透明導(dǎo)...

本發(fā)明公開(kāi)一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在線(xiàn)掃面式磁控濺射設(shè)備及鍍膜方法，設(shè)備包括設(shè)備本體，及依次設(shè)置在設(shè)備本體內(nèi)的前裝卸載腔、至少一個(gè)鍍膜工藝腔和后裝卸載腔，前裝卸載腔與鍍膜工藝腔之間、相鄰的鍍膜工藝腔之間以及鍍膜工藝腔與后裝卸載腔之間均設(shè)有用...

本發(fā)明公開(kāi)了一種硼摻雜多晶硅的制備方法及TOPCon電池，該制備方法包括：ALD法或PEALD法制備AlOx層形成隧穿層，以及采用PECVD法在AlOx層上制備硼摻雜非晶硅層，AlOx層和硼摻雜非晶硅層均在溫度為100℃～300℃下進(jìn)行...

本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜多晶硅的制備方法、硅片及其應(yīng)用，該制備方法包括：采用PECVD法依次制備摻雜源層和非晶硅層，以及重復(fù)摻雜源層和非晶硅層的制備步驟，形成由摻雜源層和非晶硅層堆疊而成的摻雜非晶硅復(fù)合膜層。本發(fā)明制備方法，通過(guò)先制備由摻雜...

本發(fā)明公開(kāi)了一種3D玻璃熱彎?rùn)C(jī)，包括：機(jī)座、冷卻循環(huán)組件、進(jìn)料系統(tǒng)、預(yù)熱系統(tǒng)、成型系統(tǒng)、轉(zhuǎn)料系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)和出料系統(tǒng)；所述進(jìn)料系統(tǒng)、預(yù)熱系統(tǒng)和成型系統(tǒng)依次設(shè)置在機(jī)座的一側(cè)，所述冷卻系統(tǒng)和出料系統(tǒng)依次設(shè)置在機(jī)座的另一側(cè)，所述轉(zhuǎn)料系統(tǒng)的進(jìn)料...

本發(fā)明公開(kāi)了一種異質(zhì)結(jié)電池片邊緣刻蝕和鍍膜一體化設(shè)備及其控制方法，設(shè)備包括嵌套設(shè)置在外腔體和內(nèi)腔體、以及進(jìn)氣組件、放電組件、夾片機(jī)構(gòu)和抽真空組件，外腔體與內(nèi)腔體之間通過(guò)分隔蓋板隔開(kāi)；抽真空組件分別連接外腔體和內(nèi)腔體，以實(shí)現(xiàn)腔體抽真空；進(jìn)...

本發(fā)明公開(kāi)了一種取放硅片的變距機(jī)構(gòu)，包括第一固定板、橫向調(diào)節(jié)模組、縱向調(diào)節(jié)模組和抓手組件；兩塊所述第一固定板對(duì)稱(chēng)設(shè)置在縱向調(diào)節(jié)模組兩側(cè)，所述抓手組件以?xún)蓛蔀橐唤M設(shè)置在第一固定板側(cè)部，抓手組件用于取放硅片，在所述縱向調(diào)節(jié)模組的驅(qū)動(dòng)下，兩塊...

本發(fā)明公開(kāi)了一種管式PECVD設(shè)備的外部真空抽氣結(jié)構(gòu)，包括真空泵組和抽真空管路，所述真空泵組包括多個(gè)真空泵，各所述真空泵通過(guò)抽真空管路與氣源柜相連，多個(gè)所述真空泵沿管式PECVD設(shè)備中石英管軸向方向間隔布置于氣源柜的一側(cè)，并在氣源柜的一...

本技術(shù)公開(kāi)了一種從尾部進(jìn)出石英管的PECVD源柜，包括柜體，所述柜體頂部連接橋架，以實(shí)現(xiàn)柜體內(nèi)部的線(xiàn)纜引出，所述柜體相對(duì)的兩側(cè)部分別對(duì)接外部管道和爐體柜，且柜體側(cè)部設(shè)有管道固定裝置，以實(shí)現(xiàn)柜體內(nèi)的內(nèi)部管道與柜體外的外部管道連通；在柜體內(nèi)...

本技術(shù)公開(kāi)了一種疊層石墨舟干法清洗設(shè)備，包括：清洗腔、推舟機(jī)構(gòu)、疊層石墨舟組和抽真空組件，推舟機(jī)構(gòu)用于帶動(dòng)疊層石墨舟組傳入或傳出清洗腔；清洗腔包括：腔體、放電模塊、支撐模塊和進(jìn)氣模塊，所述進(jìn)氣模塊設(shè)置在腔體的前端，以實(shí)現(xiàn)工藝氣體輸入腔體...

本技術(shù)公開(kāi)了一種石英腔室等離子清洗裝置，包括：石英腔室、真空泵和集成式I?CP發(fā)生器，所述真空泵與石英腔室連通，所述石英腔室上設(shè)有用于輸入工藝氣體的進(jìn)氣法蘭，所述集成式I?CP發(fā)生器可拆卸設(shè)置在石英腔室內(nèi)部；當(dāng)石英腔室進(jìn)行清洗時(shí)，所述集...

本技術(shù)公開(kāi)了一種雙面鍍膜的石墨舟，包括：舟托和舟架，所述舟托底部的兩側(cè)分別為正負(fù)電極，多個(gè)舟架依次排列在舟托上，并與舟托底部的正負(fù)電極進(jìn)行電連接，舟架用于承載待鍍膜的硅片；所述舟架包括頂板和底板，頂板與底板之間設(shè)有導(dǎo)電組件，多個(gè)所述硅片...

本技術(shù)公開(kāi)了一種產(chǎn)品彈性?shī)A持機(jī)構(gòu)，包括驅(qū)動(dòng)組件、底板和設(shè)于底板上的X向基準(zhǔn)塊、Y向基準(zhǔn)塊、X向推塊、Y向推塊,X向基準(zhǔn)塊和X向推塊相對(duì)設(shè)置，Y向基準(zhǔn)塊和Y向推塊相對(duì)設(shè)置,X向、Y向基準(zhǔn)塊均為固定安裝，底板上開(kāi)設(shè)有X向滑槽，X向推塊底部設(shè)...

本技術(shù)公開(kāi)了一種180度翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，包括安裝座、電機(jī)、氣爪、滑動(dòng)座和滑軌，電機(jī)和滑軌均位于安裝座上，且電機(jī)位于滑軌下方，滑軌為開(kāi)口向下的弧形軌道如U型滑軌或半圓弧形滑軌，氣爪通過(guò)滑動(dòng)座滑設(shè)于滑軌上，電機(jī)通過(guò)一轉(zhuǎn)動(dòng)連桿與滑動(dòng)座相連用于驅(qū)動(dòng)滑...